Electrochemical defect characterization of different compound semiconductor surfaces

In this paper, the defect distribution in different compoundsemiconductor materials (GaAs, InGaAs and InP) is investigated
by selective electrochemical etching. Defect maps are obtained
both in lateral and vertical directions. Seven different
electrolytes were applied under different polarization
conditions for the selective anodic dissolution. The
electrochemical etched surface morphologies were investigated
by scanning electron and optical microscopy and surface stylus
profiling. The results were compared to those of X-ray
topography and theoretical models.
У роботі наведено результати досліджень розподілу дефектів у
різних напівпровідникових сполуках (GaAs, InGaAs та InP) за
допомогою селективного електрохімічного травлення. Отримано
картини розподілу дефектів у поперечному та вертикальному
напрямках. Для селективного анодного розпаду в різних
поляризаційних умовах застосовано сім різних типів
електролітів. Досліджено морфологію електрохімічно травленої
поверхні за допомогою електронного скануючого і оптичного
мікроскопів та поверхневого голкового профілювання. Проведено
порівняння одержаних результатів з результатами Х-променевої
топографії та теоретичними моделями.