Ugrás a tartalomra
science.uni-obuda.hu logó
  • Címlap
  • Szerzők
  • Kulcsszavak
Címlap » Publications

Influence the Technological Circumstances on Homogenity of n-GaAs Epitaxial Structures

CímInfluence the Technological Circumstances on Homogenity of n-GaAs Epitaxial Structures
Közlemény típusaConference Paper
Kiadás éve1989
Kiadás nyelveeng
Oldalszám89 -
SzerzőkSomogyi, K., I. Gyúró, Á. Nemcsics, and S. Varga
SzerkesztőLendvay, E.
Konferencia neve5th Hungarian Conference on Crystal Growth; 2nd International Symposium on Shaped Crystal Growth
Kiadás dátuma1989

Jelenlévő felhasználók

Jelenleg 0 felhasználó és 144 vendég van a webhelyen.