Charging properties of Si3N4 based structures with embedded Si or Ge nanocrystals: Experiments and simulation
Cím | Charging properties of Si3N4 based structures with embedded Si or Ge nanocrystals: Experiments and simulation |
Közlemény típusa | Conference Proceedings |
Kiadás éve | 2011 |
Szerzők | Horváth, Z. J., P. Basa, T. Jászi, K. Z. Molnár, A. E. Pap, G. Molnár, L. Dobos, L. Tóth, B. Pécz, B. Pődör, and P. Turmezei |
Konferencia neve | 18th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology |
Konferencia helyszíne | Ekaterinburg, Russia |
Kiadás nyelve | English |