Charging properties of Si3N4 based structures with embedded Si or Ge nanocrystals: Experiments and simulation
| Cím | Charging properties of Si3N4 based structures with embedded Si or Ge nanocrystals: Experiments and simulation |
| Közlemény típusa | Conference Proceedings |
| Kiadás éve | 2011 |
| Szerzők | Horváth, Z. J., P. Basa, T. Jászi, K. Z. Molnár, A. E. Pap, G. Molnár, L. Dobos, L. Tóth, B. Pécz, B. Pődör, and P. Turmezei |
| Konferencia neve | 19th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” |
| Oldalszám | 207-208 |
| Kiadás dátuma | 06/2011 |
| Konferencia helyszíne | Ekaterinburg, Russia |
| Kiadás nyelve | English |