Ugrás a tartalomra

Publications

Found 4 results

Szűrők: Szerző = Gyúró I [Minden szűrő visszaállítása]

1987

I, G., S. O. M. O. G. Y. I. K, Á. Nemcsics, and M. I, "Mikrohullámú célra történő gőzfázisú GaAs epitaxiás növesztés az MTA MFKI-ban", HÍRADÁSTECHNIKA, vol. 38, issue 12, pp. 557 - , 1987.

1986

I, G., S. O. M. O. G. Y. I. K, and Á. Nemcsics, "GaAs gőzfázisú epitaxiális réteg növesztése és a homogenitást befolyásoló tényezők", FINOMMECHANIKA MIKROTECHNIKA, vol. 25, pp. 36 - 39, 1986.

1985

Horváth, Z. J., G. I, N. - S. M, T. P, N. A, D. L, K. B, Pál E. K, S. B, F. Á, et al., "The effect of dopant concentration on the electrical behaviour of GaAs-CrAu junctions", The seventh Czechoslovak Conference on Electronics and Vacuum Physics, Oxford, Pergamon Press, pp. 747 - 753, 1985.

I, G., Görög T, S. O. M. O. G. Y. I. K, and Á. Nemcsics, "GaAs rétegszerkezetek epitaxiális növesztése", FINOMMECHANIKA MIKROTECHNIKA, vol. 24, pp. 315 - 317, 1985.