Ugrás a tartalomra

Publications

Found 5 results

Szűrők: Szerző = SOMOGYI K [Minden szűrő visszaállítása]

1991

K, S. O. M. O. G. Y. I., N. E. M. E. T. H. S. A. L. L. A. Y. M, and Á. Nemcsics, "DETERMINATION OF THE THICKNESS OF CHEMICALLY REMOVED THIN-LAYERS ON GAAS VPE STRUCTURES", CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, vol. 26, issue 8, pp. 1091 - 1097, 1991.

1990

Nemcsics, Á., P. E. T. R. A. S. L, and S. O. M. O. G. Y. I. K, "OBSERVATION OF DISLOCATIONS IN GAAS BY (PHOTO)-ELECTROCHEMICAL METHOD", VACUUM, vol. 41, issue 4-6, pp. 1012 - 1015, 1990.

1987

I, G., S. O. M. O. G. Y. I. K, Á. Nemcsics, and M. I, "Mikrohullámú célra történő gőzfázisú GaAs epitaxiás növesztés az MTA MFKI-ban", HÍRADÁSTECHNIKA, vol. 38, issue 12, pp. 557 - , 1987.

1986

I, G., S. O. M. O. G. Y. I. K, and Á. Nemcsics, "GaAs gőzfázisú epitaxiális réteg növesztése és a homogenitást befolyásoló tényezők", FINOMMECHANIKA MIKROTECHNIKA, vol. 25, pp. 36 - 39, 1986.

1985

I, G., Görög T, S. O. M. O. G. Y. I. K, and Á. Nemcsics, "GaAs rétegszerkezetek epitaxiális növesztése", FINOMMECHANIKA MIKROTECHNIKA, vol. 24, pp. 315 - 317, 1985.